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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
操作 |
 | LINEAR TECHNOLOGY - LTC4355IMS#PBF - 芯片 理想二极管/电源控制器 |
芯片 理想二极管/电源控制器
| 美国 0 上海 0 美国40 新加坡 0 | 1 | 1 | | 删除 |
 | AMPHENOL - C196 Z T3041 - 应力消除套 黑色 3.5-4MM 5只 |
系列:C196
电缆直径, 最大:4mm
电缆直径, 最小:3.5mm
颜色:黑色
| 无库存 | 5 | 1 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - TSH345ID - 芯片 视频缓冲器 三路 带选择滤波器 |
封装类型:SOIC
功耗:1W
器件标号:345
工作温度范围:-40°C to +85°C
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
电源电流:45mA
表面安装器件:表面安装
针脚数:14
| 上海 0 新加坡30 英国67 | 1 | 1 | | 删除 |
 | NATIONAL SEMICONDUCTOR - DS90C402M/NOPB - 芯片 线驱动器 差分 5V SMD |
驱动芯片类型:LVDS
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:NSOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:NSOIC
发送器数:2
电源电压 最大:5V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
输出电流 最大:100mA
| 上海 0 美国 0 新加坡48 英国139 | 1 | 1 | | 删除 |
 | ALTERA - EP2C8T144C8N - CYCLONE II FPGASMD2C8T144WA |
宏单元数:8256
系列类型:Cyclone II
速度??数:8
系列:EP2C
总比特数:165888
输入/输出数:85
时钟管理:PLL
Core Supply Voltage:1.15V to 1.25V
输入/输出电源电压:3.465V
最高工作频率:320MHz
工作温度范围:0°C to +85°C
封装类型:TQFP
针脚数:144
封装类型:TQFP
电源电压 最大:1.25V
电源电压 最小:1.15V
芯片标号:2C8T144
表面安装器件:表面安装
逻辑芯片功能:FPGA
可编程逻辑类型:FPGA
输入/输出接口标准:LVTTL, LVCMOS, SSTL-2, SSTL-18, HSTL-18, HSTL-15
输入/输出线数:182
频率:155.5MHz
| 无库存 | 30 | 1 | | 删除 |
 | NATIONAL SEMICONDUCTOR - DS90LV027ATM/NOPB - 芯片 线驱动器 双路 差分 3.3V SMD |
驱动芯片类型:线路驱动器
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:NSOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:NSOIC
发送器数:2
电源电压 最大:3.3V
电源电压 最小:3V
表面安装器件:表面安装
输出电流 最大:8mA
| 上海 0 美国 0 新加坡183 英国224 | 1 | 1 | | 删除 |
 | TEXAS INSTRUMENTS - TRF3761-HIRHAT - 芯片 锁相环/频率合成器 |
芯片 锁相环/频率合成器
| 无库存 | 1 | 1 | | 删除 |
 | NATIONAL SEMICONDUCTOR - DS90C031TM/NOPB - 芯片 线驱动器 四路 5V SMD |
驱动芯片类型:线路驱动器
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:NSOIC
针脚数:16
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:NSOIC
发送器数:4
电源电压 最大:5V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
输出电流 最大:5mA
| 上海 0 新加坡24 英国65 | 1 | 1 | | 删除 |
 | TEXAS INSTRUMENTS - TPS22949YZPR - 芯片 配电开关 |
芯片 配电开关
| 无库存 | 1 | 1 | | 删除 |
 | MITUTOYO - 7014 - 小型磁性支架 6/8MM杆/楔榫 |
Product Type:Mini Magnetic Stand
用于:Dial Indicators and Dial Test Indicator
高度:106mm
宽度:30mm
| 上海 0 新加坡 0 英国2 | 1 | 1 | | 删除 |
 | SANYO - VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:3A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):81mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:VEC8
针脚数:8
封装类型:VEC8
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电压, Vgs 最高:10V
电流, Id 连续:2A
| 上海 0 新加坡 0 英国100 | 1 | 1 | | 删除 |